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FH3415F
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3415F
- 商品编号
- C5159030
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@2.5V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品特性
- 低导通电阻，VGS = -4.5V 时 Rds(on) 低
- 沟槽式功率 MOS 管
- 高电流处理能力
- 无卤、符合 RoHS 标准
- 表贴型封装
应用领域
- 便携式设备的直流/直流转换器
- 高端负载开关
- 高速线路驱动器