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FH75N04D
40V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：40V/75A，RDS(ON) = 6.5mΩ，VGS = 10V (最大值)。 40V/75A，RDS(ON) = 9mΩ，VGS = 4.5V (最大值)。 100% EAS保证。 有环保型器件。 超低栅极电荷。 出色的Cdv/dt效应抑制。应用：笔记本电脑电源管理。 便携式设备
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH75N04D
- 商品编号
- C5159038
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.41克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V；9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.354nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 204pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 275pF |
商品概述
FH30120GS采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 40V/75A,VGS=10V(最大值)时,RDS(ON) = 6.5 mΩ
- 40V/75A,VGS=4.5V(最大值)时,RDS(ON) = 9 mΩ
- 100%保证具有抗雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
- TO-252封装设计
应用领域
-笔记本电脑电源管理-便携式设备-电池供电系统-DC/DC转换器-负载开关