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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FH8223G2

单串高精度二合一锂电池保护芯片

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描述
4.4V±25mV,2.7V±75mV,38mR内阻
品牌名称
鑫飞宏
商品型号
FH8223G2
商品编号
C5159059
商品封装
DFN-6L(2x3)​
包装方式
编带
商品毛重
0.046克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录电池管理
芯片类型保护芯片
工作电压300mV~10V
最大充电电流5A
充电饱和电压4.4V
放电截止电压2.7V
属性参数值
电池类型-
电池节数1
工作温度-40℃~+85℃
0V电池充电支持
静态电流(Iq)700nA

商品概述

FH8223G2系列电路是一款高精度的单节可充电锂电池的内置MOSFET保护电路,它集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流放电保护等性能于一身。

正常状态下,FH8223G2的VDD端电压在过电压充电保护阈值(VOC)和过电压放电保护阈值(VOD)之间,且其VM检测端电压在充电器检测电压(VCHG)与过电流放电保护阈值(VEDI)之间,此时FH8223G2分别使内置N - MOS管M1和放电控制N - MOS管M2导通。这时,既可以使用充电器对电池充电,也可以通过负载使电池放电。

FH8223G2通过检测VDD或VM端电压(相对于VSS端)来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时,内置M1/M2由导通变为截止,从而充/放电过程停止。

FH8223G2对每种保护状态都有相应的恢复条件,当恢复条件满足以后,内置M1/M2由截止变为导通,从而进入正常状态。

FH8223G2对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间,只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后,才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的延迟时间以前消除,则不进入保护/恢复状态。

FH8223G2是DFN2X3 - 6L封装,内部集成RC、内置MOSFET,特别适合在空间有限的电池电源系统中使用。

商品特性

  • 单节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路
  • 高精度的过电压充电保护电压检测4.400V±25mV
  • 高精度的过放保护电压检测
  • 高精度过电流放电保护检测VEDI 0.15V±20mV
  • 高精度过电流充电保护检测VECI - 0.15V±20mV
  • 可选择多种型号的检测电压和延迟时间
  • 可选择不同型号0V - 电池充电允许/禁止
  • 带有自动恢复功能的低功耗模式
  • 内部集成RC、内置MOSFET (需较少外围器件)
  • 超小型化的DFN2X3 - 6L封装
  • MOSFET: RDS(on)<50mΩ (VGS = 3.7V, ID = 1A)

应用领域

  • 锂电池的充电、放电保护电路
  • 电话机电池或其它锂电池高精度保护器

数据手册PDF