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FH8221G2

二合一锂保

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描述: FH8221G2 系列电路是一款高精度的单节可充电锂电池的内置MOSFET 保护电路，它集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流放电保护等性能于一身。正常状态下，FH8221G2 的VDD端电压在过电压充电保护阈值（VOC）和过电压放电保护阈值（VOD）之间，且其VM检测端电压在充电器检测电压（VCHG）与过电流放电保护阈值（VEDI）之间，此时FH8221G2 分别使内置N-MOS 管M1 和放电控制N-MOS 管M2 导通。这时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使电池放电。
品牌名称: 鑫飞宏
商品型号: FH8221G2
商品编号: C5159058
商品封装: DFN-6L(2x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.05克(g)

商品参数

商品概述

FH8221G2 系列电路是一款高精度的单节可充电锂电池的内置MOSFET 保护电路，它集高精度过电压充电保护、过电压放电保护、过电流放电保护等性能于一身。

正常状态下，FH8221G2 的VDD端电压在过电压充电保护阈值（VOC）和过电压放电保护阈值（VOD）之间，且其VM检测端电压在充电器检测电压（VCHG）与过电流放电保护阈值（VEDI）之间，此时FH8221G2 分别使内置N-MOS 管M1 和放电控制N-MOS 管M2 导通。这时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使电池放电。

FH8221G2 通过检测VDD 或VM端电压（相对于VSS端）来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时，内置M1/M2 由导通变为截止，从而充/放电过程停止。

FH8221G2 对每种保护状态都有相应的恢复条件，当恢复条件满足以后，内置M1/M2 由截止变为导通，从而进入正常状态。

FH8221G2 对每种保护/恢复条件都设置了一定的延迟时间，只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后，才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的延迟时间以前消除，则不进入保护/恢复状态。

FH8221G2 是DFN2x3-6L 封装，内部集成RC内置MOSFET，特别适合在空间有限的电池电源系统中使用。

商品特性

单节锂离子或锂聚合物电池的理想保护电路
高精度的过电压充电保护电压检测 4.400V±25mV
高精度的过放保护电压检测
高精度过电流放电保护检测VEDI 0.15V±20mV
高精度过电流充电保护检测VECI -0.15V±20mV
可选择多种型号的检测电压和延迟时间
可选择不同型号0V-电池充电允许/禁止
带有自动恢复功能的低功耗模式
内部集成RC、内置MOSFET
超小型化的DFN2×3-6L 封装
MOSFET: RSS(on)<21mΩ (VGS = 3.7V, Ip = 1A)

应用领域

锂电池的充电、放电保护电路
电话机电池或其它锂电池高精度保护器

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	属性	参数值
	商品目录	电池管理
	芯片类型	保护芯片
	工作电压	1.5V~10V
	充电饱和电压	4.4V
	放电截止电压	2.7V

	属性	参数值
	电池类型	-
	电池节数	1
	工作温度	-40℃~+85℃
	0V电池充电	支持
	静态电流(Iq)	700nA