温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FH32P03G6
P沟道MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证EAS，具备完整的功能可靠性。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH32P03G6
- 商品编号
- C5159040
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 29W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.87nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 228pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 309pF |
商品概述
先进的HEXFET®功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 D²Pak是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。在现有的任何表面贴装封装中，它具备最高的功率处理能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²Pak适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可耗散高达2.0W的功率。 通孔版本（IRF3205L）适用于薄型应用。
商品特性
- 先进的工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态dv/dt额定值
- 175°C工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 无铅