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FH4407A2
-30V P沟道功率MOSFET
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- 描述
- 是P沟道增强型MOSFET，采用沟槽技术，采用塑料封装（SO-8）。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH4407A2
- 商品编号
- C5159041
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
FH3304GS采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种领域。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -11.5A
- RDS(ON)(最大值) ≤ 15 mΩ(VGS = -10V时)
- RDS(ON)(最大值) ≤ 25 mΩ(VGS = -4.5V时)
- 逻辑电平兼容
- 贴片封装(SO-8)
- 沟槽技术
- 快速开关
应用领域
- 高速开关
- 直流-直流转换器
- 锂离子电池