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FH4407A2
-30V P沟道功率MOSFET
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- 描述
- 是P沟道增强型MOSFET，采用沟槽技术，采用塑料封装（SO-8）。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH4407A2
- 商品编号
- C5159041
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.215nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
FH3304GS采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于多种领域。
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高耐雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 出色的封装，散热性能优异
应用领域
- 电机驱动器-功率开关应用-计算机领域的DC/DC转换器-电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器