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FH1910G
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- FH1910G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH1910G
- 商品编号
- C5159054
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.709nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 873pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOST技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
商品特性
- 超低导通电阻RDS(ON)
- 低栅极电荷
- 高电流能力
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试和栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- 电信、工业自动化、消费电子的电源管理
- 电动工具、电动车、机器人的电机驱动
- 直流/直流和交流/直流(同步整流)子系统的电流切换