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FH1304G6
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可用于各种应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH1304G6
- 商品编号
- C5159042
- 商品封装
- PDFN-8L(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 45V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 20.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 708pF@22.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF@22.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
FH0306采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于脉冲宽度调制应用。
商品特性
- 60V、3A
- 栅源电压（VGS）= 10V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)）（典型值）= 80mΩ
- 栅源电压（VGS）= 4.5V时，导通状态漏源电阻（RDS(ON)）（典型值）= 90mΩ
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通状态漏源电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理