温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FH3704B
N沟道沟槽型功率MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3704B
- 商品编号
- C5159045
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.67克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 186W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 139nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.81nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FH8838BG3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用，具备ESD保护功能。
商品特性
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 4.4 mΩ（最大值）
- 在VGS = 3.9V时，RDS(ON) < 4.6 mΩ（最大值）
- 在VGS = 2.5V时，RDS(ON) < 5.5 mΩ（最大值）
- VDS = 18V，ID = 22A
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
- ESD等级：2000V HBM
应用领域
- PWM应用
- 负载开关