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FH365P
P沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH365P
- 商品编号
- C5159046
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 98pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 115pF |
商品特性
- VDS = -40V,ID = -4.5A
- 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 54mΩ
- 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 75mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-PWM应用-负载开关-电源管理