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FH1510G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.131nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOD4130将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光源的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 漏源电压 = 60 V
- 漏极电流 = 30 A（栅源电压 = 10 V）
- 漏源导通电阻 < 24 mΩ（栅源电压 = 10 V）
- 漏源导通电阻 < 30 mΩ（栅源电压 = 4.5 V）
应用领域
- 升压转换器
- 同步整流器
- 消费、电信、工业电源
- LED背光源
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