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FH4604D
N沟道与P沟道互补功率MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH4604D
- 商品编号
- C5159048
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.7nC@10V；14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF；1.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 97pF；60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 178pF；120pF |
商品特性
- N沟道:
- 漏源电压VDS = 40V,漏极电流ID = 25A
- 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 19 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 24 mΩ
- P沟道:
- 漏源电压VDS = -40V,漏极电流ID = -21A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 34 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 47 mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
- 采用散热性能出色的封装
应用领域
- H桥电路
- 逆变器
- 无刷电机