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FH3304GS实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FH3304GS

N沟道增强型功率MOSFET

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描述
FH3304GS采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计,在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
品牌名称
鑫飞宏
商品型号
FH3304GS
商品编号
C5159044
商品封装
PDFN5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.17克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)130A
导通电阻(RDS(on))1.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)37W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)103nC@10V
输入电容(Ciss)7.603nF
反向传输电容(Crss)182pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)2.268nF

商品概述

FH3415P是采用沟槽技术、塑料封装(SOT-23)的P沟道增强型MOSFET。

商品特性

  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻
  • 雪崩电压和电流特性完全表征
  • 具有高耐雪崩能量(EAS),稳定性和一致性良好
  • 出色的封装,散热性能优异

应用领域

-电机驱动器-功率开关应用-计算机领域的DC/DC转换器-电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器

数据手册PDF