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FH3304GS
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- FH3304GS采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3304GS
- 商品编号
- C5159044
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 37W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 103nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.603nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 182pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.268nF |
商品概述
FH3415P是采用沟槽技术、塑料封装（SOT-23）的P沟道增强型MOSFET。
商品特性
- VDS = -20 V；ID = -4.6 A
- RDS(ON)（典型值）= 28 mΩ，VGS = -4.5 V
- RDS(ON)（典型值）= 38 mΩ，VGS = -2.5 V
- 沟槽技术
- 快速开关
- 高功率和电流处理能力
- 贴片封装（SOT-23）
- 符合MSL-3标准
应用领域
- 低开关DC-DC转换器
- 锂离子电池保护