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FH8913P
-30V P沟道功率MOSFET
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- 描述
- FH8913P是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。FH8913P符合RoHS标准和绿色产品要求，保证100%无铅，并通过了全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8913P
- 商品编号
- C5159039
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 310pF |
商品概述
FH75N04Dis是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 FH75N04D符合ROHS和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），且通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 14 mΩ
- 在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) < 23 mΩ
- VDS = -30 V,ID = -11 A
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证具有EAS能力
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动电脑(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关