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FH30120GS
N沟道沟槽型功率MOSFET
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- 描述
- FH30120GS采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH30120GS
- 商品编号
- C5159036
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V,120A | |
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.93nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 167pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.02nF |
商品概述
FH365P采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -40V，ID = -4.5A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 54mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 75mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理