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FH3060D
30V N沟道MOSFET
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- 描述
- 特性：30V/60A。 RDS(ON)=8.5mΩ typ @ VGS=10V。 RDS(ON)=11.5mΩ typ @ VGS=4.5V。 有不含铅和环保的器件。应用：电源开关应用。 负载开关
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3060D
- 商品编号
- C5159037
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.5mΩ@4.5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 54W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 187pF |
商品概述
CJAE55P03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻RDS(ON)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
应用领域
- 电池和负载开关