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FH3415P
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：VDS = -20V; ID = -4.6A。 RDS(ON)(Typ.): = 28mΩ @VGS = -4.5V。 RDS(ON)(Typ.): = 38mΩ @VGS = -2.5V。 Trench Technology。 Fast Switching。 High Power and Current Handing Capability。应用：Low Switch。 DC-DC Converters
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH3415P
- 商品编号
- C5159031
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC - Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 直流-直流转换器 电源管理功能 模拟开关
商品特性
- VDS = -20 V;ID = -4.6 A
- RDS(ON)(典型值)= 28 mΩ,VGS = -4.5 V
- RDS(ON)(典型值)= 38 mΩ,VGS = -2.5 V
- 沟槽技术
- 快速开关
- 高功率和电流处理能力
- 贴片封装(SOT-23)
- 符合MSL-3标准
应用领域
- 低开关DC-DC转换器
- 锂离子电池保护