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FH8802G
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- FH8802G采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- 鑫飞宏
- 商品型号
- FH8802G
- 商品编号
- C5159035
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.93nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 431pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
F7N65L是一款高压功率MOSFET，旨在具备更优良的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻以及高抗雪崩特性。这款功率MOSFET通常用于开关电源和适配器的高速开关应用中。
商品特性
- 在栅源电压（VGS） = 10V、漏极电流（ID） = 3.5A时，漏源导通电阻（RDS(ON)） ≤ 1.3Ω
- 快速开关能力
- 经过雪崩能量测试
- 改善的dv/dt能力，高耐用性
应用领域
- 开关电源
- 适配器