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NTD32N06G-HXY

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描述: 该N沟道场效应管具备60V漏源击穿电压与30A连续漏极电流，导通电阻为22毫欧。适中的内阻特性在成本与性能间取得平衡，有效管理导通损耗。器件适用于中功率直流转换器、电动工具驱动及便携式储能设备，能够在常规散热条件下实现可靠的开关控制，满足对电源效率与电路稳定性有明确要求的消费类电子设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTD32N06G-HXY
商品编号: C54582519
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.414克(g)

商品参数

NTD32N06G采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。