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QNM30N06AJ
N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷，无铅 停产
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- 描述
- 1个N沟道，共源配置；Vdss=60V，Id=15A；RDS(ON)=34mΩ@4.5V;29mΩ@10V；Vgs=±20V，VGS(th)=1.0~2.5V；Ciss=1206pF，Coss=52pF，Crss=42pF；Pd=20W，Qg=20.3nC@10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM30N06AJ
- 商品编号
- C54300937
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.069克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.206nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 52pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 60V，15A
- RDS(ON)典型值 = 29mΩ，VGS = 10V
- RDS(ON)典型值 = 34mΩ，VGS = 4.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理