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QNM20PD02AJ
双P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷 停产
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- 描述
- 2个P沟道，共源配置；Vdss=-20V，Id=-20A；RDS(ON)=16.5mΩ@-2.5V;12.5mΩ@-4.5V；Vgs=±12V，VGS(th)=-0.4~-1.0V；Ciss=1764pF，Coss=171pF，Crss=143pF；Pd=优异，Qg=16nC@-4.5V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM20PD02AJ
- 商品编号
- C54301002
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.764nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 143pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 171pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- -20V，-20A
- RDS(ON) = 12.5 mΩ，@ VGS = -4.5V（典型值）
- RDS(ON) = 16.5 mΩ，@ VGS = -2.5V（典型值）
- 先进的沟槽技术
- 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理