温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
QNM20PD02AJ
双P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 2个P沟道，共源配置；Vdss=-20V，Id=-20A；RDS(ON)=16.5mΩ@-2.5V;12.5mΩ@-4.5V；Vgs=±12V，VGS(th)=-0.4~-1.0V；Ciss=1764pF，Coss=171pF，Crss=143pF；Pd=优异，Qg=16nC@-4.5V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM20PD02AJ
- 商品编号
- C54301002
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- -20V，-20A
- RDS(ON) = 12.5 mΩ，@ VGS = -4.5V（典型值）
- RDS(ON) = 16.5 mΩ，@ VGS = -2.5V（典型值）
- 先进的沟槽技术
- 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理