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QNM30NP0812
互补型MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
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- 描述
- 1个N沟道+1个P沟道，共源配置；Vdss=30V (N)/-30V (P)，Id=27A (N)/-24A (P)；RDS(ON)=11.5mΩ@4.5V (N)/19.5mΩ@-4.5V (P);7.4mΩ@10V (N)/11.5mΩ@-10V (P)；Vgs=±20V；VGS(th)=1.0~2.2V (N)/-1.0~-2.5V (P)；Ciss=1004pF (N)/900pF (P)，Coss=117pF (N)/172pF (P)，Crss=88pF (N)/146pF (P)；Pd=15.6W (N)/14.7W (P)，Qg=20nC@10V (N)/22nC@-10V (P)；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于电池保护、负载开关、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM30NP0812
- 商品编号
- C54301007
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.074克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- N沟道：30V，27A
- RDS(ON)典型值 = 7.4mΩ，VGS = 10V
- RDS(ON)典型值 = 11.5mΩ，VGS = 4.5V
- P沟道：-30V，-24A
- RDS(ON)典型值 = 11.5mΩ，VGS = -10V
- RDS(ON)典型值 = 19.5mΩ，VGS = -4.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理