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QNN70N04SD
双N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，导通电阻低、栅极电荷低，无铅
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- 描述
- 2个N沟道，共源配置；Vdss=40V，Id=40A；RDS(ON)=11.5mΩ@4.5V;7.6mΩ@10V；Vgs=±20V，VGS(th)=1.1~2.4V；Ciss=1209pF，Coss=167pF，Crss=153pF；Pd=114W，Qg=48nC@10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNN70N04SD
- 商品编号
- C54301003
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 40V，40A
- RDS(ON)典型值 = 7.6mΩ，VGS = 10V
- RDS(ON)典型值 = 11.5mΩ，VGS = 4.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理