QNM7611AJ

互补型MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷

描述

1个N沟道+1个P沟道，共源配置；Vdss=30V (N)/-30V (P)，Id=10A (N)/-7A (P)；RDS(ON)=22mΩ@4.5V (N)/46mΩ@-4.5V (P);14mΩ@10V (N)/34mΩ@-10V (P)；Vgs=±20V；VGS(th)=1.0~2.5V (N)/-1.0~-2.5V (P)；Ciss=511pF (N)/516pF (P)，Coss=66pF (N)/71pF (P)，Crss=52pF (N)/60pF (P)；Pd=6W (N)/6.9W (P)，Qg=10nC@10V (N)/16nC@-10V (P)；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于电池保护、负载开关、电源管理。

品牌名称

QNHCHIP(乾能惠)

商品型号

QNM7611AJ

商品编号

C54301005

商品封装

PDFN-8L(3x3)​

包装方式

编带

商品毛重

0.077克(g)