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QNM7611AJ
互补型MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷 停产
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- 描述
- 1个N沟道+1个P沟道，共源配置；Vdss=30V (N)/-30V (P)，Id=10A (N)/-7A (P)；RDS(ON)=22mΩ@4.5V (N)/46mΩ@-4.5V (P);14mΩ@10V (N)/34mΩ@-10V (P)；Vgs=±20V；VGS(th)=1.0~2.5V (N)/-1.0~-2.5V (P)；Ciss=511pF (N)/516pF (P)，Coss=66pF (N)/71pF (P)，Crss=52pF (N)/60pF (P)；Pd=6W (N)/6.9W (P)，Qg=10nC@10V (N)/16nC@-10V (P)；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于电池保护、负载开关、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM7611AJ
- 商品编号
- C54301005
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.077克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V；14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.9W；6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC；10nC | |
| 输入电容(Ciss) | 511pF；516pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF；52pF | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 71pF；66pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- N沟道：30V，10A
- 在栅源电压为10V时，导通电阻典型值为14毫欧
- 在栅源电压为4.5V时，导通电阻典型值为22毫欧
- P沟道：-30V，-7A
- 在栅源电压为 -10V时，导通电阻典型值为34毫欧
- 在栅源电压为 -4.5V时，导通电阻典型值为46毫欧
- 先进的沟槽技术
- 出色的导通电阻和低栅极电荷
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理