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QNM40NP2444
互补型MOSFET，具备低导通电阻和快速开关速度 停产
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- 描述
- 1个N沟道+1个P沟道，共源配置；Vdss=40V (N)/-40V (P)，Id=10A (N)/-10A (P)；RDS(ON)=37mΩ@4.5V (N)/39mΩ@-4.5V (P);28mΩ@10V (N)/34mΩ@-10V (P)；Vgs=±20V；VGS(th)=1.0~2.5V (N)/-1.0~-2.5V (P)；Ciss=580pF (N)/1134pF (P)，Coss=36.2pF (N)/85pF (P)，Crss=32.5pF (N)/68pF (P)；Pd=3.4W (N)/7.5W (P)，Qg=11nC@10V (N)/20nC@-10V (P)；TJ=-55~150℃；无铅、快速开关特性；应用于电池保护、负载开关、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM40NP2444
- 商品编号
- C54301006
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V；28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.5W；3.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V；1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC；20nC | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF；1.134nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF；32.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 36.2pF；85pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- N沟道：40V，10A
- 当栅源电压VGS = 10V时，漏源导通电阻RDS(ON) < 35mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，漏源导通电阻RDS(ON) < 40mΩ
- P沟道：-40V，-10A
- 当栅源电压VGS = -10V时，漏源导通电阻RDS(ON) < 44mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，漏源导通电阻RDS(ON) < 52mΩ
- 出色的栅极电荷与漏源导通电阻乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 快速开关速度
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理