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QNM30ND50AY
双N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，导通电阻低、栅极电荷低，无铅 停产
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- 描述
- 2个N沟道，共源配置；Vdss=30V，Id=30A；RDS(ON)=11mΩ@4.5V;6.2mΩ@10V；Vgs=±20V，VGS(th)=1.0~2.5V；Ciss=1310pF，Coss=180pF，Crss=136pF；Pd=13.9W，Qg=23nC@10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM30ND50AY
- 商品编号
- C54301004
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 136pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品特性
- 30V、30A
- RDS(ON)典型值 = 6.2mΩ（VGS = 10V时）
- RDS(ON)典型值 = 11mΩ（VGS = 4.5V时）
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理