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QNM3N50NA
N沟道MOSFET，快速开关，无铅，低导通电阻和低栅极电荷
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- 描述
- 1个N 沟道，共源配置；Vdss=500V，Id=3A；RDS(ON)=3.5Ω@10V；Vgs=±30V，VGS(th)=2~4V；Ciss=331pF，Coss=24pF，Crss=3pF；Pd=29W，Qg=4.8nC@10V；TJ=-55~150℃；无铅、快速开关特性；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM3N50NA
- 商品编号
- C54300938
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 500V，3A
- RDS(ON) < 3.5Ω，栅源电压(VGS) = 10V
- 快速开关
- 获得无铅产品认证
- 出色的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理