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QNM50P03AY
P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，导通电阻低、栅极电荷低，无铅
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- 描述
- 1个P沟道，共源配置；Vdss=-30V，Id=-40A；RDS(ON)=13.5mΩ@-4.5V;7.4mΩ@-10V；Vgs=±20V，VGS(th)=-1~-2.2V；Ciss=1390pF，Coss=251pF，Crss=217pF；Pd=26W，Qg=25nC@-10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺、100% UIS TESTED、100% ΔVds TESTED；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM50P03AY
- 商品编号
- C54300943
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.075克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- -30V，-40A
- RDS(ON)典型值 = 7.4mΩ，@ VGS = -10V
- RDS(ON)典型值 = 13.5mΩ，@ VGS = -4.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
- 100% UIS测试
- 100% ΔVds测试
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理