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QNM30ND15LX
双N沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低导通电阻和栅极电荷，无铅
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- 描述
- 2个N沟道，共源配置；Vdss=30V，Id=10A；RDS(ON)=25.5mΩ@2.5V;19.5mΩ@4.5V;17mΩ@10V；Vgs=±12V，VGS(th)=0.4~1.3V；Ciss=596pF，Coss=47pF，Crss=39pF；Pd=5.43W，Qg=19nC@10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；100% UIS 与 ΔVds 测试；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM30ND15LX
- 商品编号
- C54301000
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.076克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 30V、10A
- RDS(ON)典型值 = 17mΩ，@ VGS = 10V
- RDS(ON)典型值 = 19.5mΩ，@ VGS = 4.5V
- RDS(ON)典型值 = 25.5mΩ，@ VGS = 2.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
- 100%进行UIS测试！
- 100%进行ΔVds测试！
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理