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QNM15PD02
双P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷，无铅产品
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- 描述
- 2个P沟道，共源配置；Vdss=-20V，Id=-12A；RDS(ON)=18mΩ@-2.5V;14mΩ@-4.5V；Vgs=±12V，VGS(th)=-1.0~-0.4V；Ciss=1652pF，Coss=135pF，Crss=113pF；Pd=15W，Qg=19.5nC@-4.5V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM15PD02
- 商品编号
- C54301001
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.073克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- -20V, -12A
- RDS(ON) = 14mΩ，VGS = -4.5V 时
- RDS(ON) = 18mΩ，VGS = -2.5V 时
- 先进的沟槽技术
- 提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 负载开关
- PWM 应用
- 电源管理