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QNM15PD02
双P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷，无铅产品 停产
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- 描述
- 2个P沟道，共源配置；Vdss=-20V，Id=-12A；RDS(ON)=18mΩ@-2.5V;14mΩ@-4.5V；Vgs=±12V，VGS(th)=-1.0~-0.4V；Ciss=1652pF，Coss=135pF，Crss=113pF；Pd=15W，Qg=19.5nC@-4.5V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM15PD02
- 商品编号
- C54301001
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.073克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.652nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 113pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 135pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- -20V, -12A
- RDS(ON) = 14mΩ，VGS = -4.5V 时
- RDS(ON) = 18mΩ，VGS = -2.5V 时
- 先进的沟槽技术
- 提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- 负载开关
- PWM 应用
- 电源管理