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QNN2401
P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，低导通电阻和栅极电荷，无铅 停产
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- 描述
- 1个P沟道，共源配置；Vdss=-15V，Id=-12A；RDS(ON)=22.6mΩ@-2.5V;16.7mΩ@-4.5V；Vgs=±12V，VGS(th)=-0.4~-1V；Ciss=901pF，Coss=173pF，Crss=150pF；Pd=5W，Qg=8nC@-4.5V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNN2401
- 商品编号
- C54300996
- 商品封装
- DFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.7mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 901pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±12V |
商品特性
- -15V，-12A
- R（典型值） = 16.7mΩ，Vgs = -4.5V
- RDS(ON)（典型值） = 22.6mΩ，Vgs = -2.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理