QNM30PD12AY
QNM30PD12AY
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- 描述
- 2个P沟道，共源配置；Vdss=-30V，Id=-18A；RDS(ON)=20.5mΩ@-4.5V;12mΩ@-10V；Vgs=±20V，VGS(th)=-1.1~-2.2V；Ciss=900pF，Coss=172pF，Crss=146pF；Pd=10W，Qg=22nC@-10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM30PD12AY
- 商品编号
- C54300998
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- -30V, -18A
- RDS(ON)典型值 = 12mΩ，VGS = -10V
- RDS(ON)典型值 = 20.5mΩ，VGS = -4.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理