温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
QNN100P03BJ
P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷，无铅产品
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 1个P沟道，共源配置；Vdss=-30V，Id=-80A；RDS(ON)=5.4mΩ@-4.5V;3.9mΩ@-10V；Vgs=±20V，VGS(th)=-1.2~-2.2V；Ciss=7747pF，Coss=871pF，Crss=559pF；Pd=52W，Qg=121nC@-10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNN100P03BJ
- 商品编号
- C54300997
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- V_DS = -30V，I_D = -80A
- RDS(ON)典型值 = 3.9mΩ，条件为 V_GS = -10V
- RDS(ON)典型值 = 5.4mΩ，条件为 V_GS = -4.5V
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 获得无铅产品认证
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理