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QNN55P10AY
P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷
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- 描述
- 1个P沟道，共源配置；Vdss=-100V，Id=-18A；RDS(ON)=87mΩ@-4.5V;82mΩ@-10V；Vgs=±20V，VGS(th)=-1.1~-2.2V；Ciss=4292pF，Coss=87pF，Crss=70pF；Pd=57W，Qg=50nC@-10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNN55P10AY
- 商品编号
- C54300944
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.152克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 100V，-18A
- RDS(ON)典型值 = 82mΩ，VGS = -10V时
- RDS(ON)典型值 = 87mΩ，VGS = -4.5V时
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理