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QNN55P10AY
P沟道MOSFET，采用先进沟槽技术，具备低导通电阻和低栅极电荷 停产
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- 描述
- 1个P沟道，共源配置；Vdss=-100V，Id=-18A；RDS(ON)=87mΩ@-4.5V;82mΩ@-10V；Vgs=±20V，VGS(th)=-1.1~-2.2V；Ciss=4292pF，Coss=87pF，Crss=70pF；Pd=57W，Qg=50nC@-10V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNN55P10AY
- 商品编号
- C54300944
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.152克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 82mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.292nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 100V，-18A
- RDS(ON)典型值 = 82mΩ，VGS = -10V时
- RDS(ON)典型值 = 87mΩ，VGS = -4.5V时
- 先进的沟槽技术
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理