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QNM7421AY
采用先进沟槽技术的P沟道MOSFET，具备低导通电阻和低栅极电荷特性
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- 描述
- 1个P沟道，共源配置；Vdss=-18V，Id=-55A；RDS(ON)=13.0mΩ@-2.5V;9.1mΩ@-4.5V；Vgs=±12V，VGS(th)=-0.4~-1.0V；Ciss=1935pF，Coss=407pF，Crss=368pF；Pd=66W，Qg=56nC@-4.5V；TJ=-55~150℃；无铅、先进沟槽工艺；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNM7421AY
- 商品编号
- C54300995
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.074克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
采用先进的沟槽技术，具有出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷
商品特性
- VD5 = -18V，ID = -55A
- RDS(ON) < 9.1mΩ（VGS = -4.5V时）
- RDS(ON) < 13.0mΩ（VGS = -2.5V时）
应用领域
PWM应用、负载开关