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QNN180N04AX
N沟道MOSFET，具备低导通电阻和低栅极电荷，无卤、符合RoHS标准、无铅电镀，适用于负载开关、PWM应用和电源管理
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- 描述
- 1个N沟道，共源配置；Vdss=40V，Id=100A；RDS(ON)=3mΩ@4.5V;2.2mΩ@10V；Vgs=±20V，VGS(th)=1.4~2.5V；Ciss=5595pF，Coss=411pF，Crss=340pF；Pd=61W，Qg=59nC@10V；TJ=-55~150℃；无铅、无卤素、符合 RoHS 标准；应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNN180N04AX
- 商品编号
- C54300942
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.151克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 40V、100A
- RDS(ON) = 2.2mΩ，在 VGS = 10V（典型值）
- RDS(ON) = 3mΩ，在 VGS = 4.5V（典型值）
- 出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷
- 无卤；符合 RoHS 标准
- 无铅电镀
应用领域
- 负载开关
- PWM 应用
- 电源管理