QNN240N03AX
N沟道MOSFET,具备低导通电阻和低栅极电荷,无卤、符合RoHS标准、无铅电镀,适用于负载开关、PWM应用和电源管理
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- 描述
- 1个N沟道,共源配置;Vdss=30V,Id=150A;RDS(ON)=2.4mΩ@4.5V;1.5mΩ@10V;Vgs=±20V,VGS(th)=1.1~2.2V;Ciss=5120pF,Coss=600pF,Crss=445pF;Pd=79W,Qg=97nC@10V;TJ=-55~150℃;无铅、无卤素、符合 RoHS 标准;应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
- 品牌名称
- QNHCHIP(乾能惠)
- 商品型号
- QNN240N03AX
- 商品编号
- C54300941
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.151克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 30V、150A
- RDS(ON)典型值 = 1.5mΩ,VGS = 10V
- RDS(ON)典型值 = 2.4mΩ,VGS = 4.5V
- 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 无卤;符合RoHS标准
- 无铅电镀
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理
