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QNN240N03AX实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

QNN240N03AX

N沟道MOSFET,具备低导通电阻和低栅极电荷,无卤、符合RoHS标准、无铅电镀,适用于负载开关、PWM应用和电源管理

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描述
1个N沟道,共源配置;Vdss=30V,Id=150A;RDS(ON)=2.4mΩ@4.5V;1.5mΩ@10V;Vgs=±20V,VGS(th)=1.1~2.2V;Ciss=5120pF,Coss=600pF,Crss=445pF;Pd=79W,Qg=97nC@10V;TJ=-55~150℃;无铅、无卤素、符合 RoHS 标准;应用于负载开关、PWM应用、电源管理。
品牌名称
QNHCHIP(乾能惠)
商品型号
QNN240N03AX
商品编号
C54300941
商品封装
PDFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.151克(g)

商品参数

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参数完善中

商品特性

  • 30V、150A
  • RDS(ON)典型值 = 1.5mΩ,VGS = 10V
  • RDS(ON)典型值 = 2.4mΩ,VGS = 4.5V
  • 出色的RDS(ON)和低栅极电荷
  • 无卤;符合RoHS标准
  • 无铅电镀

应用领域

  • 负载开关
  • PWM应用
  • 电源管理

数据手册PDF