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SIHG33N65EF-GE3-HXY
SIHG33N65EF-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备32A的漏极电流能力与650V的漏源耐压，导通电阻为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中表现出较低的导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高性能计算设备中的功率管理模块，能够在紧凑布局下维持良好的电气性能与可靠性。
- 商品型号
- SIHG33N65EF-GE3-HXY
- 商品编号
- C53134081
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.27克(g)
商品参数
参数完善中
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