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SIHG110N65SF-GE3-HXY
SIHG110N65SF-GE3-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为32A，漏源击穿电压为650V，导通电阻为94mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关条件下具有较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热导性能和稳定性。适用于高效率电源、服务器供电系统、光伏逆变器及储能设备中的功率转换环节，可在紧凑空间内实现可靠的电气性能。
- 商品型号
- SIHG110N65SF-GE3-HXY
- 商品编号
- C53134082
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.29克(g)
商品参数
参数完善中
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