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BSS138PW,115-JSM
N沟道MOSFET，具备低导通电阻、电压控制小信号开关功能，抗静电保护
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- 描述
- 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：360mA 导通电阻(RDS(on))：2.5Ω@4.5V,0.2A 耗散功率(Pd)：260mW 阈值电压(Vgs(th))：4.5V@250uA
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BSS138PW,115-JSM
- 商品编号
- C53113903
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 高密度单元设计，实现低导通电阻
- 电压控制型小信号开关
- 坚固可靠
- 具备ESD保护
- 器件标记代码
- SOT-323封装
- 最大额定值 (Ta = 25 ~℃)
- 电气特性 (Ta = 25 ~℃)
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