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PESD3V3S2UT,215-JSM
ESD保护二极管阵列，具备双向和单向配置，采用固态硅雪崩技术，低钳位电压和低泄漏电流
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- 描述
- 反向截止电压(Vrwm)：3.3V 钳位电压：16V 峰值脉冲电流(Ipp)：20A@8/20us 峰值脉冲功率(Ppp)：350W@8/20us 击穿电压：6.5V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PESD3V3S2UT,215-JSM
- 商品编号
- C53113919
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030933克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | - | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 16V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 20A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 350W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 6.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | - | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 200pF |
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