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PMV100EPAR-JSM实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

PMV100EPAR-JSM

P沟道MOSFET，采用沟槽功率MOSFET技术，散热出色，低导通电阻

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描述
数量：1个P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：2.2A 导通电阻(RDS(on))：130mΩ@10V 耗散功率(Pd)：8.3W 阈值电压(Vgs(th))：3.2V@250uA
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
PMV100EPAR-JSM
商品编号
C53113912
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.057克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))160mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
栅极电荷量(Qg)8.5nC
属性参数值
输入电容(Ciss)430pF
反向传输电容(Crss)22pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)33pF
栅极电压(Vgs)±20V

商品概述

  • 采用沟槽功率MOSFET技术
  • 具有出色的散热封装
  • 高密度单元设计，实现低导通电阻
  • 湿度敏感度等级为1级
  • 环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级
  • 无卤

商品特性

  • 100%进行EAS测试
  • 100%进行VVDs测试

应用领域

  • 功率开关应用
  • 不间断电源
  • DC - DC转换器
  • 电机驱动器

数据手册PDF

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