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NX3008NBK,215-JSM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NX3008NBK,215-JSM

单N沟道沟槽MOSFET,快速开关,低导通电阻,符合RoHS和无卤素要求,适用于低侧负载开关等电路

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描述
漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):850mA 导通电阻(RDS(on)):650mΩ@2.5V 耗散功率(Pd):360mW 阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
NX3008NBK,215-JSM
商品编号
C53113911
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.030967克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))270mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)715mW
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)650pC
属性参数值
输入电容(Ciss)37pF
反向传输电容(Crss)5.4pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)8.6pF
栅极电压(Vgs)±10V

商品特性

  • 快速开关
  • 低导通电阻
  • 沟槽MOSFET技术
  • 无铅器件
  • 符合RoHS和无卤要求

应用领域

  • 低侧负载开关
  • 电平转换电路
  • DC-DC转换器
  • 便携式应用

数据手册PDF