NX3008NBK,215-JSM
单N沟道沟槽MOSFET,快速开关,低导通电阻,符合RoHS和无卤素要求,适用于低侧负载开关等电路
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- 描述
- 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):850mA 导通电阻(RDS(on)):650mΩ@2.5V 耗散功率(Pd):360mW 阈值电压(Vgs(th)):1.2V@250uA
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- NX3008NBK,215-JSM
- 商品编号
- C53113911
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030967克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 715mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 650pC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 37pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.6pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻
- 沟槽MOSFET技术
- 无铅器件
- 符合RoHS和无卤要求
应用领域
- 低侧负载开关
- 电平转换电路
- DC-DC转换器
- 便携式应用
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