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BCP56-16TX-JSM实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BCP56-16TX-JSM

NPN中功率晶体管,适用于AF驱动和输出级,高集电极电流,低集电极-发射极饱和电压,SOT-223封装

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描述
晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):80V 耗散功率(Pd):600mW 直流电流增益(hFE):100@150mA,2V
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
BCP56-16TX-JSM
商品编号
C53113909
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.2103克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)80V
耗散功率(Pd)1.5W
直流电流增益(hFE)250
属性参数值
特征频率(fT)130MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
射基极击穿电压(Vebo)5V
数量1个NPN

商品特性

  • 适用于音频频率驱动器和输出级
  • 高集电极电流
  • 低集电极-发射极饱和电压
  • SOT-223封装
  • 总功耗 Ptot = f(TS)
  • 过渡频率 fT = f(IC)
  • 直流电流增益 hFE = f(IC)
  • 集电极截止电流 ICBO = f(TA)
  • 基极-发射极饱和电压
  • 集电极-发射极饱和电压
  • 允许脉冲负载

数据手册PDF