FCP190N65F-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备800V漏源耐压（VDSS）与20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至165mΩ，可减少导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-10V至+25V，支持可靠驱动控制，适用于高频率开关场景。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温稳定性和快速开关性能，适合用于高功率密度电源转换装置，如高效DC-DC变换器、高压逆变设备、储能系统中的功率模块及各类要求严苛的电力电子电路设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FCP190N65F-HXY

商品编号

C52754710

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.91克(g)