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SPP20N60CFDHKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅场效应管具备800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至165mΩ，可有效降低开关与导通损耗。栅源电压范围为-10V至+25V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高频开关性能与高温工作稳定性，适用于高功率密度的电源转换设计。典型应用包括高效直流-直流变换器、高压功率因数校正电路及开关电源模块等电力电子场合，有助于提升系统整体能效与热管理表现。
- 商品型号
- SPP20N60CFDHKSA1-HXY
- 商品编号
- C52754727
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.87克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@18V |
商品概述
该产品采用宽带隙SiC MOSFET技术，具备低导通电阻与高阻断电压、低电容与高速开关、低反向恢复电荷等特性，且符合无卤素与RoHS标准。其优势在于能够降低开关损耗、提高系统开关频率、增加功率密度，并减少散热器需求。
商品特性
- 宽带隙SiC MOSFET技术
- 低导通电阻与高阻断电压
- 低电容与高速开关
- 低反向恢复电荷
- 符合无卤素与RoHS标准
应用领域
- 开关电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压DC/DC转换器