SPP20N60CFDHKSA1-HXY

SPP20N60CFDHKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至165mΩ，可有效降低开关与导通损耗。栅源电压范围为-10V至+25V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具备优异的高频开关性能与高温工作稳定性，适用于高功率密度的电源转换设计。典型应用包括高效直流-直流变换器、高压功率因数校正电路及开关电源模块等电力电子场合，有助于提升系统整体能效与热管理表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SPP20N60CFDHKSA1-HXY

商品编号

C52754727

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.87克(g)