STP18N65M5-HXY

STP18N65M5-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有800V漏源耐压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为165mΩ，有助于减少导通损耗并提升能效。栅源电压（VGS）支持-10V至+25V范围，确保驱动可靠性与开关稳定性。采用碳化硅材料，具备优异的高温工作性能和快速开关特性，适用于高频率、高效率的电力转换场景。典型应用涵盖高压直流变换、大功率开关电源、可再生能源逆变系统及高密度电源模块，适合对热管理和功率密度有较高要求的电路设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STP18N65M5-HXY

商品编号

C52754728

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.86克(g)