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STP18N65M5-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有800V漏源耐压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为165mΩ，有助于减少导通损耗并提升能效。栅源电压（VGS）支持-10V至+25V范围，确保驱动可靠性与开关稳定性。采用碳化硅材料，具备优异的高温工作性能和快速开关特性，适用于高频率、高效率的电力转换场景。典型应用涵盖高压直流变换、大功率开关电源、可再生能源逆变系统及高密度电源模块，适合对热管理和功率密度有较高要求的电路设计。
- 商品型号
- STP18N65M5-HXY
- 商品编号
- C52754728
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ |