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IPP65R225C7XKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和高速开关特性
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- 描述
- 本N沟道碳化硅MOSFET具备800V漏源电压（VDSS）与20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至165mΩ，可有效降低导通损耗，提升系统效率。栅源电压范围为-10V至+25V，支持稳定栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作性能和快速开关响应能力，适用于高频率、高功率密度的电力转换电路。典型应用包括高效直流-直流变换器、大功率开关电源、光伏逆变装置及高密度电源模块，适合对热管理、转换效率和空间布局有较高要求的电力电子设计场景。
- 商品型号
- IPP65R225C7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C52754729
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |