STP24N60M2-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）低至165mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-10V至+25V，具备良好的栅极可靠性与开关稳定性。基于碳化硅材料特性，该器件支持高频工作，具有优异的耐温性能和较低的开关损耗，适合应用于高密度电源系统、可再生能源逆变装置及高性能直流变换模块中，有助于提升系统整体能效与功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STP24N60M2-HXY

商品编号

C52754730

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.99克(g)