STP24N60DM2-HXY

STP24N60DM2-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备800V漏源击穿电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围-10V至+25V，支持稳定驱动与可靠关断。采用宽禁带半导体材料，具有优异的高频开关特性、高温工作能力及低反向恢复电荷，适用于高效率功率变换架构。典型使用场景包括大功率开关电源、直流变换装置、储能系统中的逆变单元以及高功率密度电源模块设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STP24N60DM2-HXY

商品编号

C52754731

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.86克(g)