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STP24N60DM2-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备800V漏源击穿电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为165mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围-10V至+25V，支持稳定驱动与可靠关断。采用宽禁带半导体材料，具有优异的高频开关特性、高温工作能力及低反向恢复电荷，适用于高效率功率变换架构。典型使用场景包括大功率开关电源、直流变换装置、储能系统中的逆变单元以及高功率密度电源模块设计。
- 商品型号
- STP24N60DM2-HXY
- 商品编号
- C52754731
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 361pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 34pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 165mΩ@18V |
商品特性
- 采用宽禁带碳化硅MOSFET技术
- 具备低导通电阻与高阻断电压
- 低电容实现高速开关
- 反向恢复电荷低
- 无卤素，符合RoHs标准
应用领域
- 开关模式电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压直流/直流转换器